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MBR20100DC TO-263封裝(佑芯微半導體)替代MBRB20100CTG TO-263封裝(ON安森美)

肖特基二極管:MBR20100DC TO-263封裝(佑芯微半導體)與MBRB20100CTG TO-263封裝(ON安森美)參數替換對比。

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MBR20100DC TO-263封裝(佑芯微半導體),最大平均正向整流電流:20A,最大反向重復峰值電壓:100V,浪涌沖擊電流:250A,正向壓降:0.68V@125度 10A,最大反向電流:1.5UA,工作溫度范圍:-55~+175。MBRB20100CTG TO-263封裝(ON安森美),最大平均正向整流電流:20A,最大反向重復峰值電壓:100V,浪涌沖擊電流:150A,正向壓降:0.75V@125度 10A,最大反向電流:6.0mA,工作溫度范圍:-65~+175。

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