MOS管發熱問題通常由電路設計問題、驅動頻率過高、散熱設計不足或MOS管選型不當等因素導致。發熱會導致功率管損耗增加，從而影響MOS管性能。因此，應關注散熱設計，選擇合適的散熱片，并選擇低導通電阻的MOS管以降低發熱問題。

近期經常聽到有伙伴說：

“為什么我的MOS管會發熱，明明我的電流并不大啊？”

MOS管發熱問題是MOS管應用時常見的問題，那么今天就來簡單的帶大家了解MOS管發熱問題以及如何應對這樣的情況

我們先來了解MOS工作發熱的基本情況。

在MOS管中有幾個重要的參數：導通阻抗RDS（ON），柵極/驅動電壓 VGS 以及流經開關的電流漏源極電流ID.

其中。導通阻抗RDS（ON）

與柵極（或驅動） 電壓VGS 以及流經開關的電流有關

在充分的柵極驅動的情況下，RDS（ON）是一個相對靜態參數。MOS管在持續的導通情況下容易產生熱量，導致發熱，由此慢慢升高的結溫使RDS（ON）也逐漸增加，此時功率管的損耗也跟著增加，導致MOS管的發熱發燙。

總結下來，MOS管發熱大致可以分為以下幾個因素：

1. 電路設計問題

MOS管工作主要在于線性的工作狀態，而不是在開關狀態，MOS管導通過程時間過長會導致發熱

2.MOS管驅動頻率太高，頻率與導通損耗就會成正比。因此在發熱時，可以看看頻率選擇的是否過高。此外，過分追求體積，也會導致頻率提高，MOS管上的損耗增大。

3.如果沒有做足夠好的散熱設計，通過漏極和源極的導通電流ID就會過大，不過，ID小于最大電流，也可能發熱嚴重，因此需要足夠的輔助散熱片來幫助MOS管很好的散熱。

4.MOS管的選型時關鍵，我們在前面提到了RDS（ON）這個關鍵參數，它的變化是導致發熱的主要原因。因此選擇低導通電阻的MOS管是至關重要的，不過這里需要注意的是，內阻越小，cgs和cgd電容越大，具體應用時要選擇內阻合適的MOS管。