在高壓下MOS與IGBT元器件要怎么做短路保護呢？下面由小編來給您講解下

首先在3腳的排序上，先以帶有短路保護鎖定的驅動的3腳為短路信號檢測入端;然后2腳為驅動地;最后1腳為驅動輸出。

　　這樣如果電路存在短路，那么流過MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET簡稱MOS）的電流很大在S極電阻兩端產生的壓降導致三極管由截止進入導通(當然導到什么程度具體跟MOS的跨導有關系)，因此驅動電阻上面有壓降，MOS進入放大區。這個時候高電壓就不會通過MOS進行強電流放電，這樣芯片就不會有局部過熱的可能，能在很短的時間內保護電路檢測到短路存在關閉并鎖定驅動電壓輸出，這樣MOS就僅僅承受了動作時間內的恒流功率損耗，安全性能得到了很大提高。

　　當然小編發布的電路僅作為理解原理，實際使用上具體參數還是要看實際工況選取的。

　　S級的電阻是根據你選定的MOS的IDM(Pulsed Drain Current留余量)選定的,至于跨導這個不是主要因數;這里三極管并不工作在開關狀態他只是根據MOS的瞬態電流值調整MOS的驅動電壓,保證在短路出現的時候IDM不至于超出安全工作范圍,這個時候由于在1US甚至更短的時間內驅動已經被關斷并鎖定,所以不存在過功損耗.三極管的反映時間越快越好.其實這個電路是電流負反饋電路演變過來的.電路如下: