MOS管參數(shù)

　　1、VGS(th)(開啟電壓)

　　當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓 VGS 超過 VGS(th) 時(shí)，漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道。

　　應(yīng)用中，常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時(shí)的柵極電壓稱為開啟電壓。此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所降低。

　　MOS管的導(dǎo)通條件

　　MOS管的開關(guān)條件：

　　N溝道：導(dǎo)通時(shí) Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)時(shí)導(dǎo)通;

　　P溝道：導(dǎo)通時(shí) Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)時(shí)導(dǎo)通。

　　MOS管導(dǎo)通條件：|Vgs| > |Vgs(th)|

　　2、VGS(最大柵源電壓)

　　柵極能夠承受的最大電壓，柵極是MOS管最薄弱的地方，設(shè)計(jì)的時(shí)候得注意一下，加載柵極的電壓不能超過這個(gè)最大電壓。

　　3、RDS(on)(漏源電阻)

　　導(dǎo)通時(shí)漏源間的最大阻抗，它決定了MOSFET導(dǎo)通時(shí)的消耗功率。這個(gè)值要盡可能的小，因?yàn)橐坏┳柚灯?，就?huì)使得功耗變大。

　　MOS管 導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會(huì)在這個(gè)電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會(huì)減小導(dǎo)通損耗。

　　現(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。

　　4、ID(導(dǎo)通電流)

　　最大漏源電流。是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許通過的最大電流。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過 ID 。

　　一般實(shí)際應(yīng)用作為開關(guān)用需要考慮到末端負(fù)載的功耗，判斷是否會(huì)超過 ID。

　　5、VDSS(漏源擊穿電壓)

　　漏源擊穿電壓是指柵源電壓VGS 為 0 時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。

　　擊穿后會(huì)使得 ID 劇增。

　　這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于 V(BR)DSS 。

　　6、gfs(跨導(dǎo))

　　是指漏極輸出電流的變化量與柵源電壓變化量之比，

　　是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù),是柵源電壓對(duì)漏極電流控制能力大小的量度。

　　過小會(huì)導(dǎo)致 MOS 管關(guān)斷速度降低，過大會(huì)導(dǎo)致關(guān)斷速度過快， EMI特性差。