快恢復二極管在應用端的基本性能參數及要求會涉及到哪些概述？

       一般快恢復二極管主要指在工作中與快速晶閘管、高頻晶閘管及GT0、IGCT、lEGT等晶閘管派生器件相匹配的FWD器件。這種快恢復二極管通常電流很大，電壓高，

反向恢復時間一般在1微秒以上，大都采用擴散型穿通結構和電子輻照工藝，電流從幾十安培到幾千安培，電壓幾百伏到3000伏。反向恢復特性通常比較硬。大多數為晶

圓片(wafer)結構。我國一般FRD的水平與國外先進水平相差不多，國產器件在國內市場占有80%以上的份額，而且還有很多出口。

           然而，還有一種類型的快恢復二極管，工作時與IGBT、功率MOSFET匹配使用，這種與高頻功率器件配合使用的FRD在性能上，不僅要快，而且要求“軟”特性，以

避免產生高的電壓尖峰及射頻干擾和電磁干擾。通常國外制造IGBT、功率M0SFET的公司也同時生產與之相匹配的快恢復二極管。國內到目前尚無商業化的IGBT及快恢復

二極管的量產。由于快恢復二極管相對IGBT來，較為低端，隨著國家對核心功率電子器件的重視和投入加強，快恢復二極管已被正式立項，具有極好的發展形勢。

 
            一、快恢復二極管的少子壽命控制技術
            對于數日一定的載流子，其壽命越低，消失越快，在FRD中表現為反向恢復時間越短。因此，提高恢復速度最直接有效的方法便是盡量設法減小基區內的少子壽命。方

法便是引入深能級復合中心，例如金屬、雜質或缺陷都可以產生深能級復合中心，擴金、擴鉑、射線輻照、急冷急熱都可以使步子壽命下降。世壽命控制時，同樣會帶束正

向電阻變大及漏電流變大等負面影響。不同的壽命控制方法引起的通態電阻、漏電流的變化差異很大。因此，并不是隨便地引入缺陷或雜質就可以用來作壽命控制，而是需

要很多研究和實踐總結、日前通用的壽命控制技術有擴金、擴鉑、電子或氯離子輛照等。

 
           二、快恢復二極管的基本性能參數及要求
          IFM為二極管正向峰值電流，-diF/dt為正向通志電流下降率，IRM反向峰值電流，VFM為二極管正向通態壓降，VR為反向電壓，VRM為反向峰值電壓，tm為存儲時間，        tb為復合時間，反向恢復軟度因子S=tb/tm，trr為反向恢復時間且trr=tm+tb，Qrr為反向恢復電荷，dir(REC/dt)為反向恢復電流下降率。

     FRD的基本性能要求是：
    (1)恢復速度快，即反向恢復時間trr要小。
    (2)正向壓降小，即要求VF小，以減小導通狀態下的功耗。
    (3)反向漏電流Ir小，以減小關斷狀態下功耗。
    (4)反向峰值電流小，以減小二極管反向電流對控制功率電路中其他開關器件的影響；
    (5)反向恢復的軟度S大，減小瞬時感生的電壓過沖，避免震蕩。
    (6)快恢復二極管還必須具有良好的溫度穩定性，減小或避免當器件溫度升高時產生的性能的劣化現象。正向壓降具有正溫度系數的功率二極管就具有很好的溫度穩定性。