MOS管的寄生電容

寄生電容是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。

實(shí)際上，一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容，一個(gè)電感，一個(gè)電阻的串聯(lián)，低頻情況下表現(xiàn)不明顯，而高頻情況下，等效值會(huì)增大。

MOS管用于控制大電流通斷，經(jīng)常被要求數(shù)十K乃至數(shù)M的開(kāi)關(guān)頻率，在這種用途中，柵極信號(hào)具有交流特征，頻率越高，交流成分越大，寄生電容就能通過(guò)交流電流的形式通過(guò)電流，形成柵極電流。消耗的電能、產(chǎn)生的熱量不可忽視。

加在 G 極的弱驅(qū)動(dòng)信號(hào)瞬間變?yōu)楦唠娖剑菫榱恕肮酀M(mǎn)”寄生電容需要時(shí)間，就會(huì)產(chǎn)生上升沿變緩，影響開(kāi)關(guān)頻率。

一般從單片機(jī)普通應(yīng)用來(lái)說(shuō)，我們對(duì)這個(gè)開(kāi)關(guān)要求沒(méi)那么高，如果不是特殊應(yīng)用場(chǎng)合可以不用深究。

但是不能忽略寄生電容，所以在我們的MOS使用的時(shí)候，就會(huì)在GS級(jí)加上一個(gè)電阻，用來(lái)釋放寄生電容的電流。