日期：2023-12-28 分類：產(chǎn)品知識(shí) 瀏覽：340 來源：
MOS管是怎么制造的
以P型半導(dǎo)體為襯底，在一個(gè)低摻雜容度的P型半導(dǎo)體上，通過擴(kuò)散技術(shù)做出來2塊高摻雜容度的N型半導(dǎo)體，引出去分別作為 源級(jí)（S） 和 漏極（D）。 P型襯底在 MOS管內(nèi)部是和源級(jí)（S）相連。 在P型襯底和兩個(gè)N型半導(dǎo)體之間加一層二氧化硅（SiO2）絕緣膜，然后通過多晶硅引出引腳組成柵極（G）。
